特許
J-GLOBAL ID：200903084007905887

水素センサ及び水素の検知方法

発明者：
小野 泰一

小野 泰一 について

, 
紺野 敏明

紺野 敏明 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について

, 
本田技研工業株式会社

本田技研工業株式会社 について


代理人 (6件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  鈴木 三義 ,  村山 靖彦 ,  高柴 忠夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-133339
公開番号（公開出願番号）：特開2005-315700
出願日： 2004年04月28日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：
【課題】 本発明は常温で水素ガスの検知が可能であり、加熱の必要が無く、省電力構造にでき、一端水素検知が終了した後の繰り返し使用が可能であり、長期間使用することができる水素センサと水素の検知方法の提供を目的とする。【解決手段】 本発明は、半導体2と、その表面の少なくとも一部に付設された水素吸収体3とからなる水素検出部を有し、水素吸収体の付設位置を挟んで、半導体に、水素吸収体によって導通されないよう配置された対になる電極5,6を具備してなり、対になる電極間で計測される水素吸収体への水素吸収の有無に対応する半導体の抵抗値変化から、水素の存在を検知可能とされてなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体と、該半導体の表面の少なくとも一部に付設された水素吸収体とからなる水素検出部を有し、前記水素吸収体の付設位置を挟んで、前記半導体に、前記水素吸収体によって導通されないよう配置された対になる電極を具備してなり、前記対になる電極間で計測される前記水素吸収体への水素吸収の有無に対応する前記半導体の抵抗値変化から、水素の存在を検知可能とされてなることを特徴とする水素センサ。
IPC (1件)：
G01N27/12
FI (2件)：
G01N27/12 B ,  G01N27/12 C
Fターム (13件)：
2G046AA05 ,  2G046BA01 ,  2G046BA08 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BD03 ,  2G046BD06 ,  2G046FA01 ,  2G046FB06 ,  2G046FE13 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE38
引用特許：
出願人引用 (4件)
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