特許
J-GLOBAL ID：200903084008283545

酸化物超電導体の製造方法及び装置

発明者：
小嶋 正大

小嶋 正大 について


出願人/特許権者：
同和鉱業株式会社

同和鉱業株式会社 について


代理人 (1件)： 阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029154
公開番号（公開出願番号）：特開2000-226298
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】 種結晶を正確に所望の位置関係で前駆体に接触させることができる酸化物超電導体の製造方法及び装置を提供する。【解決手段】 所定の組成比の試料(前駆体)20を半溶融状態にした後に種結晶100を接触させて結晶成長させる工程を有する酸化物超電導体の製造方法において、前記種結晶100を支持棒30の先端にセラミックス系接着剤31を介して取り付けて前記前駆体20に接触させるようにした。
請求項（抜粋）：
所定の組成比の前駆体を半溶融状態にした後に種結晶を接触させて結晶成長させる工程を有する酸化物超電導体の製造方法において、前記種結晶を支持棒の先端にセラミックス系接着剤を介して取り付けて前記前駆体に接触させるようにしたことを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/22 501 ,  H01L 39/14 ZAA
FI (2件)：
C30B 29/22 501 B ,  H01L 39/14 ZAA Z
Fターム (11件)：
4G077AA02 ,  4G077BC53 ,  4G077CF10 ,  4G077ED01 ,  4G077PJ01 ,  4M114AA10 ,  4M114AA29 ,  4M114BB01 ,  4M114BB09 ,  4M114CC03 ,  4M114DB62
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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