炭化珪素半導体基板及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一 , 福田浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-108746
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294611
出願日： 2004年04月01日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】半導体素子層中の欠陥が少ない基板の製造方法の提供。【解決手段】炭化珪素基板上に、ゲルマニウムをドープした炭化ケイ素バッファー層を設け、かつ、該バッファー層上に半導体素子層を設けることを特徴とする炭化珪素半導体基板の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素基板上に、ゲルマニウムをドープした炭化ケイ素バッファー層を設け、かつ、該バッファー層上に半導体素子層を設けることを特徴とする炭化珪素半導体基板の製造方法。

IPC (8件)：

H01L21/205 , H01L21/20 , H01L21/331 , H01L21/338 , H01L29/167 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (5件)：

H01L21/205 , H01L21/20 , H01L29/167 , H01L29/72 H , H01L29/80 H

Fターム (34件)：

5F003BH05 , 5F003BM01 , 5F003BP31 , 5F003BP41 , 5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC19 , 5F045AD18 , 5F045AF02 , 5F045BB12 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045DA59 , 5F052GC10 , 5F052JA05 , 5F052KA05 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ01 , 5F102GJ02 , 5F102GK02 , 5F102GL02 , 5F102GM02 , 5F102GN02 , 5F102GQ03 , 5F102GS02 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC21

引用特許：

出願人引用 (2件)

炭化珪素単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-377485 出願人：株式会社デンソー
炭化珪素単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-230279 出願人：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所

審査官引用 (8件)

炭化珪素半導体およびその成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-098232 出願人：富士電機株式会社
半導体膜の成長方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-060210 出願人：松下電器産業株式会社
半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-086117 出願人：松下電器産業株式会社

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