プラズマ処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：佐藤香
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-056060
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294307
出願日： 1998年02月20日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】良質のプラズマを供給。【解決手段】プラズマ発生空間22がプラズマ処理空間13に隣接し且つ連通しているプラズマ処理装置において、プラズマ発生空間22が分散等して形成され、且つプラズマ発生空間22内に電子を封じる磁気回路25が付設される。プラズマ成分比率の制御性がよい。プラズマ分布の均一性確保とプラズマ処理空間からプラズマ発生空間へのガス流入阻止の両立が図れる。さらに、プラズマ処理空間13を可動壁体40で囲んで、圧力制御性も高める。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理空間が形成された第1機構と、前記第1機構に取着して又はそれと一体的に設けられプラズマ発生空間が形成された第2機構とを具え、前記プラズマ発生空間が前記プラズマ処理空間に隣接し且つ連通しているプラズマ処理装置において、前記プラズマ発生空間が分散等して形成されたものであることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 C , C23C 16/50 , C23F 4/00 G , H01L 21/205 , H05H 1/46 A

引用特許：

出願人引用 (8件)

高周波プラズマ発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-215146 出願人：株式会社アドテック
絶縁膜製造装置および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-200000 出願人：富士電機株式会社
プラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-020318 出願人：住友金属工業株式会社

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審査官引用 (12件)

特開平4-314863
高周波プラズマ発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-215146 出願人：株式会社アドテック
半導体加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-186837 出願人：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社

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