特許
J-GLOBAL ID：200903084185681674
歪Si-SOI基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-100998
公開番号（公開出願番号）：特開2004-320000
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】 歪Si-SOI基板中のSiGe混晶層で、Ge濃度30%を確保する。活性層の剥がれ、活性層中の欠陥を減らす。良好な歪効果を得る。活性層表面のラフネスを改善する。加工取り代の均一性を高める。【解決手段】 エピタキシャル膜付きウェーハ10と支持用ウェーハ20とを貼り合わせる。エピウェーハの一部を活性層薄膜化層10Aとして残す。薄膜化層10Aの表面を平坦化する。加熱し、薄膜化層10Aの表面から内部に向かって酸化膜12を形成していく。埋め込み酸化膜21A上のSiGe混晶膜11A中のGe濃度を30%前後まで高める。SiGe混晶膜11Aに良質の歪シリコン層40が得られる。なお、薄膜化後の薄膜化層11Aを還元性ガス雰囲気でアニールし、平坦化する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
SiGe混晶層を含むエピタキシャル膜を有するエピタキシャル膜付きウェーハおよびシリコン酸化膜を有する支持基板用ウェーハを準備する工程と、
上記エピタキシャル膜付きウェーハのエピタキシャル膜のついた面および上記支持基板用ウェーハのシリコン酸化膜の表面を貼り合わせ面として、上記エピタキシャル膜付きウェーハと支持基板用ウェーハとを貼り合わせて貼り合わせウェーハを形成する貼り合わせ工程と、
この貼り合わせウェーハにおいてエピタキシャル膜付きウェーハのエピタキシャル膜の一部を含む部分を支持基板上の活性層として残して薄膜化する薄膜化工程と、
この支持基板上の活性層表面を平坦化する平坦化工程と、
この貼り合わせウェーハを酸化熱処理することにより、上記支持基板用ウェーハに活性層として残されたエピタキシャル膜中のゲルマニウムを濃縮し、高濃度ゲルマニウムのSiGe混晶膜を形成する酸化濃縮工程と、
酸化濃縮後、活性層表面の酸化膜をエッチングにより除去し、上記高濃度のゲルマニウムのSiGe混晶膜を露出する酸化膜除去工程と、
酸化膜除去後、この高濃度ゲルマニウムのSiGe混晶膜の表面にシリコンをエピタキシャル成長し、歪シリコン層を形成する歪シリコン成長工程とを備えた歪Si-SOI基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
引用文献：
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