特許
J-GLOBAL ID：200903084290324755

半導体素子

発明者：
八木 茂

八木 茂 について

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鳥越 誠之

鳥越 誠之 について

, 
鈴木 星児

鈴木 星児 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-063072
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250972
出願日： 2000年03月08日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 広範囲の光学ギャップを自由に選べ、高感度で、光量に対する出力電流の直線性がよく、大面積でも安価な半導体素子を提供する。【解決手段】 不透明導電性基板20上に、導電膜21を有し、該導電膜上に、周期率表におけるIIIA族元素から選択される1以上の元素、及びVA族元素から選択される1以上の元素を含有する半導体層22を有することを特徴とする半導体素子である。前記不透明導電性基板が、印字あるいは画像が表示されている金属基板であり、かつ、前記導電膜が透明な導電膜である態様が好ましい。また、前記導電膜が、金、銀、又はプラチナからなる態様が好ましい。
請求項（抜粋）：
不透明導電性基板上に、導電膜を有し、該導電膜上に、周期率表におけるIIIA族元素から選択される1以上の元素、及びVA族元素から選択される1以上の元素を含有する半導体層を有することを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 31/04 ,  H01L 31/0248 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01L 33/00 A ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/08 K
Fターム (18件)：
5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA98 ,  5F051AA08 ,  5F051CB27 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051GA02 ,  5F088AA01 ,  5F088AB07 ,  5F088BB10 ,  5F088FA02 ,  5F088FA05 ,  5F088GA01 ,  5F088LA03
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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