特許

J-GLOBAL ID：200903084348113695

シリコン膜の形成方法

発明者： 松木 安生 ,  横山 泰明 ,  竹内 安正 ,  古沢 昌宏 ,  湯田坂 一夫 ,  宮下 悟 ,  下田 達也
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社 ,  セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-275233
公開番号（公開出願番号）：特開2002-087809
出願日： 2000年09月11日
公開日（公表日）： 2002年03月27日
要約：

【要約】【課題】 CVD法やプラズマCVD法とは異なり、簡単な操作や装置で、基体上にシリコン膜を、効率的に例えば高い歩留りや大きい形成速度で形成することのできる方法を提供すること。【解決手段】 シクロペンタシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシリコン化合物を、不活性有機媒体蒸気の存在下に、大気圧下で熱分解せしめて基体上にシリコン膜を形成する方法。

請求項（抜粋）：

シクロペンタシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシリコン化合物を、不活性有機媒体蒸気の存在下に、熱分解せしめることを特徴とする基体上にシリコン膜を形成する方法。

IPC (3件)：

C01B 33/02 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C01B 33/02 D ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205

Fターム (32件)：

4G072AA01 ,  4G072BB09 ,  4G072EE07 ,  4G072FF01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH29 ,  4G072PP20 ,  4G072QQ09 ,  4G072RR01 ,  4G072UU02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA29 ,  4K030CA06 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030KA25 ,  5F045AA03 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC14 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE01 ,  5F045AE29 ,  5F045AE30 ,  5F045CA13

引用特許：

審査官引用 (7件)

• シリコン膜形成用の高次シラン含有溶液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-342682   出願人：昭和電工株式会社
• 特開昭60-026664
  
• シリコン膜の形成方法及び太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-174268   出願人：シャープ株式会社
• シリコン膜の形成方法及び太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-195985   出願人：シャープ株式会社, 昭和電工株式会社
• シリコン膜形成用組成物およびシリコン膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-069314   出願人：ジェイエスアール株式会社
• シリルシクロペンタシランおよびその用途
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-069313   出願人：ジェイエスアール株式会社
• シリコン膜およびそのパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-117631   出願人：ジェイエスアール株式会社