特許
J-GLOBAL ID：200903084349808000

多結晶シリコン基板およびその粗面化法

発明者：
猪股 洋介

猪股 洋介 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-019535
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235274
出願日： 2003年01月28日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】反応性イオンエッチングによって形成される微細な凹凸が不均一になり、高効率な太陽電池が得られないという問題があった。【解決手段】多結晶シリコン基板の表面にドライエッチング法で微細な凹凸を多数形成する多結晶シリコン基板の粗面化法において、前記多結晶シリコン基板の表面をアルカリ水溶液でエッチングして表面積/実面積の比率を1.1より小さくした後にドラインエッチング法で前記微細な凹凸を多数形成する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
表面に微細な凹凸が多数ある多結晶シリコン基板において、前記基板の表面をアルカリ水溶液でエッチングして形成した大きな凹凸の中に、ドラインエッチング法で形成した前記微細な凹凸が多数あり、且つ複数の前記微細な凹凸の垂直断面における頂点を結んだ仮想線の長さaとこの仮想線の始点と終点を結んだ直線の長さbとの比率(a/b)が1.1よりも小さいことを特徴とする多結晶シリコン基板。
IPC (4件)：
H01L31/04 ,  C01B33/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065
FI (4件)：
H01L31/04 H ,  C01B33/02 E ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/306 G
Fターム (20件)：
4G072AA01 ,  4G072BB12 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072NN27 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004EA22 ,  5F004FA08 ,  5F043AA10 ,  5F043BB03 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10 ,  5F051AA03 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15 ,  5F051GA20
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM