特許
J-GLOBAL ID：200903084374766656
半導体力学量センサおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-269540
公開番号（公開出願番号）：特開2006-084326
出願日： 2004年09月16日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：
【課題】 シリコン基板上に可動電極およびこれに対向する固定電極を形成してなる容量式の角速度センサにおいて、犠牲層である埋め込み酸化膜の厚さを厚くすることなく、可動電極とシリコン基板との間の異物の混入による歩留まりの低下を抑制する。【解決手段】 シリコン基板11上に埋め込み酸化膜13を介して積層されたSOI層12に対して、可動電極32、40および固定電極60、70、80を形成してなる角速度センサ100において、可動電極25とシリコン基板11との連結部である検出梁リード50の表面には圧縮応力を発生する圧縮応力層90が形成され、この圧縮応力によって検出梁リード50がシリコン基板11から離れる方向へ反ることにより、可動電極32、40は、固定電極60〜80よりもシリコン基板11から離れる方向へ位置した状態で固定電極60〜80とずれて対向している。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
支持基板(11)上にて前記支持基板(11)に可動な状態で連結された可動電極(25)と、
前記支持基板(11)上にて前記支持基板(11)に固定された状態で連結されるとともに、前記可動電極(25)と対向して配置された固定電極(60、70、80)とを備え、
力学量が印加されたときの前記可動電極(25)と前記固定電極(60〜80)との間の容量変化に基づいて前記力学量を検出する半導体力学量センサの製造方法において、
前記支持基板(11)の上に絶縁層(13)を介して半導体層(12)が積層されてなる積層基板(10)を用意し、
前記半導体層(12)のうち前記可動電極(25)と前記支持基板(11)との連結部(50)となる部位の表面に、圧縮応力を発生する圧縮応力層(90)を形成する圧縮応力層形成工程と、
前記半導体層(12)に対して、前記半導体層(12)の表面から前記絶縁層(13)に達し且つ前記可動電極(25)および前記固定電極(60〜80)のパターンを区画するトレンチ(120)を形成するトレンチ形成工程と、
前記絶縁層(13)を除去することにより、前記可動電極(25)を前記支持基板(11)からリリースするとともに、前記半導体層(12)のうち前記圧縮応力層(90)が形成されている部位を圧縮応力によって前記支持基板(11)から離れる方向へ反らせるリリース工程とを、実行することを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。
IPC (4件)：
G01C 19/56
, G01P 9/04
, H01L 29/84
, G01P 15/08
G01C19/56
, G01P9/04
, H01L29/84 Z
, G01P15/08 P
2F105AA02
, 2F105AA10
, 2F105BB13
, 2F105BB14
, 2F105BB15
, 2F105CC04
, 2F105CD03
, 2F105CD13
, 4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA21
, 4M112CA24
, 4M112CA31
, 4M112CA33
, 4M112DA03
, 4M112DA10
, 4M112DA11
, 4M112DA12
, 4M112DA18
, 4M112EA02
, 4M112EA04
, 4M112EA06
, 4M112EA07
, 4M112EA10
, 4M112EA11
, 4M112EA18
, 4M112FA20
出願人引用 (1件)
-
センサを製造する方法およびセンサ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-094545
出願人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
-
“A novel fabrication method of a vertical comb drive using a single SOI wafer for optical MEMS appl
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