光電変換装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-191776
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084125
出願日： 1997年07月01日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】製造コストが低く、かつ高い変換効率の太陽電池を製造する。【解決手段】太陽電池級の半導体基板101内に残留する欠陥等に対して、意図的にNi等の触媒元素を結合させ、欠陥のエネルギー状態を安定状態とする。この状態でハロゲン元素を含む雰囲気において加熱処理を行い、前記触媒元素を酸化膜104中に取り込むなどしてゲッタリングする。ゲッタリングにより触媒元素が脱離することで切り離された結合は、加熱処理により再結合し、結晶性が大幅に向上される。よって半導体級と同程度の結晶性を有するの半導体基板105を得ることができる。

請求項（抜粋）：

結晶性を有する半導体基板と、前記半導体基板上に密接して保持された触媒元素を含む層とに対して加熱処理を加え、前記半導体基板内部の欠陥に前記触媒元素を偏析させる第1の工程と、該半導体基板に対して少なくともハロゲン元素を含む雰囲気において加熱処理を加え、前記触媒元素をゲッタリングすると同時に前記半導体内部の欠陥を除去する第2の工程と、前記第2の工程において前記半導体基板表面に形成された酸化膜をエッチング除去することにより前記半導体表面を露出させる第3の工程と、を少なくとも経て得られた半導体基板を用いて形成された光電変換装置において、前記半導体基板の内部における前記触媒元素の濃度は 5×1018/cm3 以下であり、かつ、前記ハロゲン元素の濃度は 1×1016〜 1×1020/cm3 であることを特徴とする光電変換装置。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 21/322

FI (4件)：

H01L 31/04 X , H01L 21/322 Q , H01L 21/322 S , H01L 21/322 X

引用特許：

審査官引用 (10件)

太陽電池素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-106865 出願人：京セラ株式会社
特開昭59-069976
特開昭59-069976

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