特許
J-GLOBAL ID：200903084610220830

レーザアニーリング用光学系とこれを用いたレーザアニーリング装置

発明者：
岡本 達樹

岡本 達樹 について

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小川 哲也

小川 哲也 について

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佐藤 行雄

佐藤 行雄 について

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西前 順一

西前 順一 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-335722
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141301
出願日： 2000年11月02日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：
【要約】【課題】 レーザ熱処理により結晶性に優れた薄膜を形成するためのレーザ光照射プロファイルを制御する生産性の高いレーザ光学系とそれを利用したレーザアニーリング装置を提供する。【解決手段】 複数のレーザ発振器から放射された各レーザビームを、それぞれ、基板上に形成された非晶質または多結晶のケイ素膜上で線状のビーム形状を形成する線状ビーム成形手段を備えたレーザ光学系であって、レーザ発振器から線状ビーム成形手段までのレーザビームの光軸がほぼ同一平面上にあり、かつ、基板とほぼ垂直に配置され、それぞれのビームを反射鏡により基板上に形成された非晶質のケイ素膜上に照射する。複数レーザビームを同時に基板に照射することにより、各照射レーザビームは必要な照射強度を保った状態で、照射面積を大きくでき、生産性が向上できる。さらに、装置構成が簡単になり、光学的に安定したレーザ照射光学系を得ることができる効果がある。
請求項（抜粋）：
複数のレーザ発振器から放射されたレーザビームを、基板上に形成された非晶質または多結晶の半導体膜の表面での照射レーザビームの形状で線状に形成する複数の線状ビーム成形手段を含むレーザアニーリング用のレーザ光学系であって、該レーザ光学系が、各レーザ発振器と対応の線状ビーム成形手段とがそのレーザビームの光軸を基板とほぼ平行に且つ横方向に成るように配置されると共に、各レーザビームを反射して基板上の該半導体膜表面にほぼ垂直に照射する反射鏡を有するレーザアニーリング用のレーザ光学系。
IPC (3件)：
H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/00
FI (3件)：
H01L 21/268 J ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/00 B
Fターム (15件)：
5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BA14 ,  5F052BA18 ,  5F052BB02 ,  5F052BB03 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F072AB02 ,  5F072AB15 ,  5F072KK05 ,  5F072KK30 ,  5F072QQ02 ,  5F072YY08
引用特許：
審査官引用 (8件)
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