特許
J-GLOBAL ID:200903084618116357
パターン製造システム
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
柳田 征史
, 佐久間 剛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-351924
公開番号(公開出願番号):特開2005-116929
出願日: 2003年10月10日
公開日(公表日): 2005年04月28日
要約:
【課題】 銅箔厚などによるパターン線の線幅の仕上がりのばらつきを調整して、パターンを形成することで精度の高い仕上がりにする。【解決手段】 基板上に銅箔およびレジストを積層し、加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅を用いて直接描画して露光し、露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成して、基板上の銅箔をエッチングして形成パターンを形成する。このとき、銅箔厚を入力し、銅箔厚と目標銅箔厚との差に基づいて、形成パターンのパターン線の線幅が目標形成パターンのパターン線の線幅に近づくように、加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅および露光量のうち少なくとも一方を調整する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上に銅箔およびレジストをこの順に積層してなる被加工物の前記レジストに対して、目標形成パターンを形成するための加工用パターンデータに基づき、基板上の銅箔の上に塗布されたレジストに、所定の露光量で前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅のパターン線を直接描画して露光する露光手段と、該露光手段で露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成する現像手段と、前記レジストパターンが形成された基板上の銅箔をエッチングして形成パターンを形成するエッチング手段とを備えたパターン製造システムにおいて、
前記銅箔の銅箔厚を入力する銅箔厚入力手段と、
該銅箔厚入力手段によって入力された前記銅箔厚と目標銅箔厚との差に基づいて、前記形成パターンのパターン線の線幅が前記目標形成パターンのパターン線の線幅に近づくように、前記所定の露光量および前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅のうち少なくとも一方を調整する調整手段とを有し、
前記露光手段が、前記調整手段により調整された線幅および/または露光量を用いて前記レジストに直接描画して露光するものであることを特徴とするパターン製造システム。
IPC (3件):
H05K3/00
, G03F7/20
, H05K3/06
FI (4件):
H05K3/00 H
, G03F7/20 501
, H05K3/06 D
, H05K3/06 E
Fターム (15件):
2H097AA03
, 2H097BB01
, 2H097CA17
, 2H097GB04
, 5E339BC02
, 5E339BD11
, 5E339BE13
, 5E339CE11
, 5E339CF16
, 5E339DD02
, 5E339EE03
, 5E339EE10
, 5E339FF02
, 5E339FF10
, 5E339GG02
引用特許: