特許
J-GLOBAL ID:200903084640834719

回折格子の形成方法及び分布帰還型半導体レーザの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良 ,  戸津 洋介
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-153282
公開番号(公開出願番号):特開2009-020503
出願日: 2008年06月11日
公開日(公表日): 2009年01月29日
要約:
【課題】回折格子のピッチを変えることができる回折格子の形成方法及び分布帰還型半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】この回折格子の形成方法では、まず、弾性材料からなり、回折格子24を形成するためのパターン12を有するモールド10を準備する。次に、モールド10を変形させた状態でパターン12を樹脂体22に押し付ける。次に、パターン12を樹脂体22に押し付けた状態で樹脂体22を硬化させることによって、硬化した樹脂体22aに回折格子24を形成する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
弾性材料からなり、回折格子を形成するためのパターンを有するモールドを準備する工程と、 前記モールドを変形させた状態で前記パターンを樹脂体に押し付ける工程と、 前記パターンを前記樹脂体に押し付けた状態で前記樹脂体を硬化させることによって、硬化した樹脂体に前記回折格子を形成する工程と、 を含む、回折格子の形成方法。
IPC (2件):
G02B 5/18 ,  H01S 5/12
FI (2件):
G02B5/18 ,  H01S5/12
Fターム (14件):
2H249AA13 ,  2H249AA40 ,  2H249AA43 ,  2H249AA59 ,  2H249AA62 ,  2H249AA64 ,  2H249AA68 ,  5F173AB02 ,  5F173AH12 ,  5F173AP32 ,  5F173AP35 ,  5F173AP47 ,  5F173AR02 ,  5F173AR92
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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