特許
J-GLOBAL ID：200903084696809857

ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた集積回路

発明者：
柳原 学

柳原 学 について

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上本 康裕

上本 康裕 について

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田中 毅

田中 毅 について

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上田 大助

上田 大助 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-338015
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147951
出願日： 2004年11月22日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】ショットキーバリアダイオード(SBD)の耐圧が低下することを防止すると共に、複数のSBDのそれぞれの電極に異なる電圧を印加できるようにして、高耐圧のSBD及び高耐圧のSBDが集積化されたコンパクトな集積回路を実現できるようにする。【解決手段】基板1の上には、厚さが100nmの窒化アルミニウムからなるバッファ層2と、厚さが1500nmのアンドープの窒化ガリウムからなる第1の半導体層3と、厚さが25nmのアンドープのアルミニウム窒化ガリウムからなる第2の半導体層4とが形成されている。第2の半導体層4の上には、ショットキー電極6とオーミック電極7とが間隔をおいて形成されている。ショットキーバリアダイオードの周縁部には、ショットキー電極6とオーミック電極7とを囲むように高抵抗領域5が設けられている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の上に順次形成された第1の半導体層及び第2の半導体層と、 前記第1の半導体層及び第2の半導体層に形成され且つ前記第1の半導体層及び第2の半導体層からなる領域と比べて高抵抗である高抵抗領域と、 前記第2の半導体層の上における前記高抵抗領域に囲まれた領域に互いに間隔をおいて形成されたショットキー電極及びオーミック電極を備えていることを特徴とするショットキーバリアダイオード。
IPC (4件)：
H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (3件)：
H01L29/48 F ,  H01L29/48 D ,  H01L27/04 F
Fターム (21件)：
4M104AA01 ,  4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD39 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104EE18 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG13 ,  4M104HH20 ,  5F038AV04 ,  5F038CA02 ,  5F038CA05 ,  5F038CA06 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
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