特許

J-GLOBAL ID：200903084717937044

マルチブロック単位へのブロックの適応決定論的グループ化

発明者： ゴンザレス,カルロス ジェイ. ,  ブルース,アラン ディー. ,  ゴロベッツ,セルゲイ エイ. ,  ベネット,アラン ディー.
出願人/特許権者： サンディスク コーポレイション
代理人 (1件)： 井ノ口 壽
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-547154
公開番号（公開出願番号）：特表2007-520842
出願日： 2004年12月15日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：

本発明は、不揮発性メモリの物理ブロックを、複合論理構造または「メタブロック」にリンクするための手法を提示する。メタブロックへの健全な物理ブロックの初期リンキングを決定した後、リンキングの記録が不揮発性メモリ中に保持され、その記録は、必要時に直ちにアクセスすることができる。実施形態の1つのセットにおいて、初期リンキングは、アルゴリズムに従って決定論的に形成され、メモリ中のいずれかの不良ブロックのパターンに従って最適化されうる。付加的な不良ブロックが発生すると、リンキングは、リンキング中の不良ブロックを健全なブロックで、好ましくは、置き換えられつつあるブロックと同じメモリのサブアレイ中の健全なブロックで置き換えることにより、更新される。

請求項（抜粋）：

コントローラと不揮発性メモリとを含むメモリシステムを操作する方法であって、不揮発性メモリは複数の消去単位で構成される方法において、 各々が複数の消去単位で構成され、それによってコントローラが不揮発性メモリにアクセスする、メタブロック・リンキングのセットを確立するステップと、 前記メタブロック・リンキングの記録を不揮発性メモリに格納するステップと、 を含む方法。

IPC (4件)：

G11C 29/04 ,  G11C 16/06 ,  G11C 16/02 ,  G06F 12/16

FI (5件)：

G11C29/00 603Z ,  G11C29/00 603D ,  G11C17/00 639B ,  G11C17/00 601U ,  G06F12/16 310R

Fターム (18件)：

5B018GA01 ,  5B018KA18 ,  5B018NA06 ,  5B125BA01 ,  5B125CA08 ,  5B125DD03 ,  5B125DD04 ,  5B125DD07 ,  5B125DE10 ,  5B125EF08 ,  5B125FA10 ,  5L106AA10 ,  5L106CC05 ,  5L106CC16 ,  5L106CC22 ,  5L106CC32 ,  5L106EE07 ,  5L106GG07

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 米国特許第5,659,550号
  
• 米国特許第5,671,229号
  
• 米国特許第5,862,080号
  
• 米国特許第6,580,638号
  
• 米国特許第6,426,893号
  
• 米国特許第6,034,897号
  
• 米国公開特許出願第2003/0065899号
  

審査官引用 (5件)

• 記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-250504   出願人：松下電器産業株式会社
• 記憶装置およびアドレス管理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-055129   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-204171   出願人：ティーディーケイ株式会社
• メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-204166   出願人：ティーディーケイ株式会社
• メモリ装置のプログラム方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-124728   出願人：三星電子株式会社