エッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005434
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208488
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の製造工程のエッチングにおいて良好な側壁保護効果ならびに、対レジスト、対下地選択性の向上を達成する。【解決手段】半導体装置の製造においてガス雰囲気をプラズマ励起することによって被加工物の表面層をエッチングするに際し、前記ガス雰囲気が、臭素原子を含むガスおよび炭化水素もしくはその誘導体のガス、または、炭化水素の臭素化物もしくはその誘導体のガス、を含むことを特徴とするエッチング方法を提供することにより前記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造においてガス雰囲気をプラズマ励起することによって被加工物の表面層をエッチングするに際し、前記ガス雰囲気が、臭素原子を含むガスおよび炭化水素もしくはその誘導体のガス、または、炭化水素の臭素化物もしくはその誘導体のガス、を含むことを特徴とするエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 F , C23F 4/00 E

Fターム (33件)：

4K057DA11 , 4K057DA12 , 4K057DA13 , 4K057DB20 , 4K057DD01 , 4K057DD08 , 4K057DE01 , 4K057DE06 , 4K057DE08 , 4K057DE11 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DG07 , 4K057DJ02 , 4K057DM29 , 4K057DN01 , 5F004BA14 , 5F004BB07 , 5F004CA04 , 5F004DA00 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA04 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004DB23 , 5F004DB26 , 5F004EA13 , 5F004EA22

引用特許：

審査官引用 (11件)

ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-270489 出願人：ソニー株式会社
基板から有機反射防止膜をエッチングする処理法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-189903 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体デバイス製造工程のプラズマエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-260134 出願人：三星電子株式会社

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