特許
J-GLOBAL ID：200903073841242117

低屈折率の充填物を有する半導体LEDフリップチップ

発明者：
ジェローム チャンドラ バート

ジェローム チャンドラ バート について

, 
マイケル ジョセフ ルドワイズ

マイケル ジョセフ ルドワイズ について

, 
ダニエル アレクサンダー スタイガーワルド

ダニエル アレクサンダー スタイガーワルド について


出願人/特許権者：
ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッドライアビリティ カンパニー

ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッドライアビリティ カンパニー について


代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-139811
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031858
出願日： 2002年05月15日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】 メサ壁における光の損失を最小にするLED構造。【解決手段】 本発明によると、III族窒化物フリップチップ発光デバイスのメサ壁に屈折率の差異が生じる。屈折率の段差は、メサ壁に入射する光の多くをデバイスにはね返し、該デバイスで有効に光を取出すことができる。いくつかの実施形態において、サブマウント上のはんだ壁、或いは、発光デバイス及びサブマウントを被覆する高い屈折率のゲルは、発光デバイスとサブマウントの間に密封された隙間を生じる。この隙間は、低い屈折率を有する材料で充填される。他の実施形態では、高い屈折率の材料が発光デバイスの基板を覆い、低い屈折率の材料がサブマウントと発光デバイス間の隙間に充填される。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の上に重なるn型層と、前記n型層の上に重なる活性領域と、前記活性領域の上に重なるp型層と、前記n型層に結合されたn-コンタクトと、前記p型層に結合されたp-コンタクトと、を含み、前記n-コンタクト及び前記p-コンタクトがデバイスの同じ側に形成され、前記n-コンタクトがメサ壁によって前記p-コンタクトから隔離されたIII族窒化物発光デバイスと、前記発光デバイスに結合されたサブマウントと、前記III族窒化物発光デバイスと前記サブマウントの間の隙間と、前記隙間内の一定量の材料と、を含み、前記一定量の材料が、メサ壁に接し、低い屈折率を有することを特徴とする発光構造。
FI (2件)：
H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 C
Fターム (11件)：
5F041AA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CB11 ,  5F041CB24 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA19 ,  5F041DA44 ,  5F041DA62 ,  5F041DA74
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM