特許
J-GLOBAL ID：200903084944321122

半導体装置

発明者：
淺川 恭輝

淺川 恭輝 について

, 
恒岡 道朗

恒岡 道朗 について

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安保 武雄

安保 武雄 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-320169
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124394
出願日： 2001年10月18日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の再配線時において、配線層と接地電位層との間の容量成分の抑制と、接地電位層の上下でアイソレーションを確保することである。【解決手段】 回路素子が形成された半導体板としてのシリコン板1と接地電位層である第一の配線層11の間に第一の絶縁層5を設け、第一の配線層11と第二の配線層12の間に絶縁層7を設け、かつ接地電位層の格子形状に設けた空孔の対角線の距離を波長の8分の1以下とした構造としているので、接地電位層の上下でアイソレーションを確保でき、かつ、層間の容量成分の抑制ができ、したがって、再配線時の配置に制約を受けずにアイソレーションの確保と浮遊容量の抑制を実現することができる。
請求項（抜粋）：
回路素子が形成された半導体板と、この半導体板の上面に形成された少なくとも2つの第一および第二の接続パッドと、この第一および第二の接続パッドを覆うように前記半導体板上に形成された第一の絶縁層と、この第一の絶縁層上に形成されその一端が前記第一の接続パッドと電気的に接続された第一の配線層と、この第一の配線層を覆うように前記第一の絶縁層上に形成された第二の絶縁層と、この第二の絶縁層上に形成されその一端が前記第二の接続パッドと電気的に接続された第二の配線層と、この第二の配線層を覆うように前記第二の絶縁層上に形成された封止樹脂とを備え、前記第一および第二の配線層の所定個所よりそれぞれ導体からなる第一および第二の導体ポストが前記封止樹脂の表面から露出することにより第一および第二の電極部を形成し、第一の配線層が少なくとも1つの接続パッドの接地電位層と接続され、前記第一の配線層が格子形状に空孔をもつように形成し、この格子形状の空孔の対角線の距離が波長の8分の1以下とした半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768
FI (5件)：
H01L 23/12 501 P ,  H01L 23/12 501 T ,  H01L 21/90 V ,  H01L 21/88 A ,  H01L 21/88 T
Fターム (7件)：
5F033HH07 ,  5F033HH17 ,  5F033MM22 ,  5F033RR22 ,  5F033VV05 ,  5F033VV07 ,  5F033XX24
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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