特許
J-GLOBAL ID：200903084983794810
エラー訂正機能を有したフラッシュメモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-095529
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311010
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】コピーバック後に原データのエラービットが転写されることを防止し得る不揮発性メモリを提供する。【解決手段】固有のビットエラーが転写されることを防止するために、本発明によるNAND型フラッシュメモリは、ページバッファに貯蔵された特定ページの原データのビットエラーを訂正する回路と、原データを前記回路に供給し前記回路により訂正された補正データをページバッファに提供する手段と、原データをページバッファに複写しページバッファから補正データを他のページに貯蔵する手段とを含む。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリにおいて、
データを貯蔵する複数のページと、
ページ単位のデータを臨時に貯蔵するページバッファと、
前記ページバッファに貯蔵された特定ページの原データのビットエラーを訂正する回路と、
前記原データを前記回路に供給し前記回路により訂正された補正データを前記ページバッファに供給する手段と、
前記原データを前記ページバッファに複写し前記ページバッファから前記補正データを他のページに貯蔵する手段とを備えることを特徴とする不揮発性メモリ。
IPC (5件)：
G11C29/00
, G06F12/16
, G11C16/02
, G11C16/04
, G11C16/06
G11C29/00 631D
, G06F12/16 320F
, G06F12/16 320M
, G11C17/00 639C
, G11C17/00 622E
, G11C17/00 611G
5B018GA02
, 5B018HA14
, 5B018KA18
, 5B018NA06
, 5B125BA01
, 5B125CA11
, 5B125DA03
, 5B125DB02
, 5B125DE08
, 5B125DE14
, 5B125FA01
, 5B125FA02
, 5B125FA04
, 5L106AA10
, 5L106BB02
, 5L106BB11
