特許

J-GLOBAL ID：200903085002940109

ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者： 渡部 良司 ,  竹下 優
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-241014
公開番号（公開出願番号）：特開2007-057669
出願日： 2005年08月23日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：

【課題】LWRが低減された良好な形状のレジストパターンが得られるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】樹脂成分(A)は、アセタール型保護基を含む構成単位(a1)を有し、かつ酸発生剤成分(B)は、下記一般式(b-5)で表されるカチオン部を有する酸発生剤(B1)を含むポジ型レジスト組成物およびこれを用いたレジストパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有するポジ型レジスト組成物であって、 前記(A)成分は、下記一般式(a1-2)で表される構成単位、及び(a1-4)で表される構成単位

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/004 ,  C08F 20/28

FI (4件)：

G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  G03F7/004 503A ,  C08F20/28

Fターム (28件)：

2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BB00P ,  4J100BB00Q ,  4J100BC07P ,  4J100BC08P ,  4J100BC12P ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-201310   出願人：東京応化工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 化学増幅型レジスト用重合体及びこれを含有した化学増幅型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-054881   出願人：コリアクンホペトロケミカルカンパニーリミテッド
• スルホニウム化合物、該スルホニウム化合物からなる感放射線性酸発生剤および感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-273778   出願人：JSR株式会社
• 光感応性酸発生剤およびそれらを含むフォトレジスト
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-523093   出願人：ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.
• 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-327055   出願人：富士写真フイルム株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Effects of Protecting Group on Resist Characteristics of Acryl Polymers for 193nm Lithography