III族窒化物系化合物半導体発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-298169
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111057
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】積層数が大幅に小さく反射率が十分高い多重膜反射層の実現。【解決手段】 n型シリコン基板101の上にはAl0.20Ga0.80Nから成る膜厚約20nmのn型バッファ層102が設けられ、その上には膜厚約47nmのシリコン(Si)ドープのAl0.10Ga0.90Nより成るn型の半導体層Bと、膜厚約43nmのシリコン(Si)ドープのIn0.17Ga0.83Nより成るn型の半導体層Aとを交互に合計30層積層して、多重膜反射層170が形成されている。GaN から成るn型クラッド層105の上には、膜厚約3nmのIn0.18Ga0.82Nから成る井戸層161と、膜厚約7nmのGaNから成るバリア層162とが交互に積層されたMQW活性層160が形成されている。本構成により、井戸層161よりも半導体層Aの方がバンドギャップが若干大きくなり、光の吸収が十分に抑止される。更に本構成により、層A,B間の屈折率の差を極力大きくできる。

請求項（抜粋）：

III族窒化物系化合物より成る半導体層を積層して形成されるIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、発光層の発光波長λに基づく所定周期で、屈折率がn<SB>A </SB>の半導体層Aと、屈折率がn<SB>B </SB>(<n<SB>A </SB>)の半導体層Bとを交互に多数積層することにより形成された多重膜反射層を有し、前記半導体層Aのバンドギャップエネルギーは、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりも、前記発光層のスペクトラル半値幅Δλ(>0)に概ね相当するエネルギー幅ΔE(〜chΔλ/λ<SP>2 </SP>;cは光速、hはプランク定数)分程度だけ大きいことを特徴とする III族窒化物系化合物半導体発光素子。

Fターム (10件)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA37 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CB15

引用特許：

審査官引用 (7件)

窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-286732 出願人：日亜化学工業株式会社
III-V族化合物面発光レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-210126 出願人：三星電子株式会社
AlGaInP発光素子用基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-077980 出願人：昭和電工株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

化合物半導体デバイス[I], 1984, 初版, p.89

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