特許
J-GLOBAL ID：200903085054496762
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-211420
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026465
出願日： 2000年07月12日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】素子側面からのハンダのはみ出しを効率よく抑制する。【解決手段】n-GaAs基板1の上に、n-GaAsバッファ層2、n-AlGaAsクラッド層3、AlGaAs活性層4、p-AlGaAsクラッド層5、p-GaAsキャップ層6が順に積層されている。p-GaAsキャップ層6の上には、SiO2 からなる絶縁膜7とp側電極8とが順に積層されている。半導体レーザ素子E2において、n-GaAs基板1の裏面の中央部に凹部1aが形成され、接合面におけるハンダ配置領域の素子側面側にハンダはみ出し防止用障壁部12が設けられている。台座11の上に半導体レーザ素子E1とE2が重ねて配置され、ハンダ付けされている。
請求項（抜粋）：
基板の上に結晶膜を積層した半導体レーザ素子を、複数個、膜厚方向に重ねて配置しハンダ付けした半導体レーザにおいて、前記半導体レーザ素子(E2,E10,E11,E20,E21,E30)の接合面におけるハンダ配置領域の素子側面側にハンダはみ出し防止用障壁部(12,20)を設けたことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
5F073BA09
, 5F073CA05
, 5F073CB02
, 5F073CB23
, 5F073DA05
, 5F073DA21
, 5F073EA24
, 5F073FA11
, 5F073FA22
