特許
J-GLOBAL ID：200903085186487908

裏面照射型撮像素子の製造方法および裏面照射型撮像素子、並びにこれを備えた撮像装置

発明者：
永瀬 正規

永瀬 正規 について

, 
宇家 眞司

宇家 眞司 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-108264
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103664
出願日： 2007年04月17日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：
【課題】十分なゲッタリング特性が得られる裏面照射型撮像素子の製造方法および裏面照射型撮像素子、並びにこれを用いた撮像装置を提供する。【解決手段】第1半導体支持基板と該第1半導体支持基板上に絶縁層を介して形成された導電型半導体層とから成るSOI基板 に対して、導電型半導体層内に受光部を含む光電変換領域および該光電変換領域で発生する信号電荷を信号出力部に転送するための電荷転送部を形成する第1ステップS11と、SOI基板の第1半導体支持基板とは反対側の面を第2半導体支持基板に固定する第2ステップS12と、SOI基板から第1半導体支持基板を除去する第3ステップS13と、SOI基板の導電型半導体層にゲッタリング用のイオン注入を行う第4ステップS14と、を含むようにした。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
半導体基板の電極が形成される表面側に対し反対の裏面側から入射する光を受光し、前記光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子を製造するための裏面照射型撮像素子の製造方法であって、 第1半導体支持基板と該第1半導体支持基板上に絶縁層を介して形成された導電型半導体層とから成るSOI基板に対して、前記導電型半導体層内に受光部を含む光電変換領域および該光電変換領域で発生する信号電荷を信号出力部に転送するための電荷転送部を形成する第1ステップと、 前記SOI基板の前記第1半導体支持基板とは反対側の面を第2半導体支持基板に固定する第2ステップと、 前記SOI基板から前記第1半導体支持基板を除去する第3ステップと、 前記SOI基板の前記導電型半導体層にゲッタリング用のイオン注入を行う第4ステップと、 を含む裏面照射型撮像素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 27/148
FI (1件)：
H01L27/14 B
Fターム (19件)：
4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118CA34 ,  4M118CB14 ,  4M118DA03 ,  4M118DA28 ,  4M118FA12 ,  4M118FA19 ,  4M118FA35 ,  4M118GA02 ,  4M118GB04 ,  4M118GB11 ,  4M118GB13 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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