特許
J-GLOBAL ID：200903085209141907

半導体装置の製造方法および製造装置

発明者：
青柳 哲理

青柳 哲理 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-206398
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027346
出願日： 2005年07月15日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：
【課題】フリップチップ実装の半導体装置において、そのフリップチップ実装による接続の信頼性を十分に確保でき、また製造装置構成の複雑化等を招くのを回避する。【解決手段】半導体チップ1,5,6がフリップチップ実装されてなる半導体装置の製造方法において、前記フリップチップ実装による接続端子1a,2a,5a,6a間の少なくとも一方に形成された半田バンプ3に対してプラズマを用いた洗浄を行う洗浄工程と、前記洗浄工程による洗浄後の半田バンプ3を加熱溶融して前記接続端子1a,2a,5a,6a間の接合を行う接合工程とを含む。そして、前記洗浄工程では、前記プラズマを用いた洗浄を、不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気中で行うようにする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体チップがフリップチップ実装されてなる半導体装置の製造方法であって、 前記フリップチップ実装による接続端子間の少なくとも一方に形成された半田バンプに対してプラズマを用いた洗浄を行う洗浄工程と、 前記洗浄工程による洗浄後の半田バンプを加熱溶融して前記接続端子間の接合を行う接合工程とを含み、 前記洗浄工程では、前記プラズマを用いた洗浄を、不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気中で行う ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60
FI (3件)：
H01L25/08 Z ,  H01L21/60 311Q ,  H01L21/92 604Z
Fターム (4件)：
5F044LL01 ,  5F044LL04 ,  5F044RR00 ,  5F044RR03
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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