特許
J-GLOBAL ID：200903085319791737
炭化珪素半導体装置とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-088480
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269924
出願日： 2005年03月25日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】炭化珪素ウェハ上にUMOSFETを作製する場合、トレンチゲートを形成するためのトレンチ側面が面方位の違いにより、酸化膜の成膜厚さにばらつきがあり、また多結晶シリコンから変換した酸化膜表面の平坦性が悪いという課題があった。酸化膜表面の平坦性を向上させることにより絶縁耐圧の向上を図る。【解決手段】n型4H-SiCあるいは6H-SiC基板1上に順次、熱CVD法によりn型ドリフト層2、p型ベース層3、n型ソース層4をエピタキシャル成長で形成させる。その基板1をソース層4、ベース層3を部分的に完全に除去できる深さまで反応性イオンエッチング法により垂直にエッチングして、トレンチ11を形成する。トレンチ11を含む凹凸のある基板表面に、アモルファス構造の非晶質シリコン膜14を減圧CVD法を用いて成膜する。続いて窒素雰囲気下で焼成することによって非晶質シリコン膜14を固相で多結晶化することによって多結晶シリコン膜16を形成する。続いて常圧雰囲気で酸化処理し、多結晶シリコン膜16を酸化膜15に変換する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素単結晶基板上に設けられたトレンチの内面に酸化膜を形成する方法において、少なくともトレンチの内面にアモルファスシリコン膜を成膜し、該アモルファスシリコン膜を固相で多結晶シリコン膜とし、該多結晶シリコン膜を酸化して酸化膜とすることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 21/336
H01L29/78 652K
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 658F
出願人引用 (3件)
審査官引用 (7件)
全件表示
引用文献：
前のページに戻る
