特許

J-GLOBAL ID：200903085390103655

半導体集積回路装置

発明者： 大湯 静憲 ,  熊内 隆宏 ,  小此木 堅祐
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日本電気株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-198227
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017586
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 DRAM等のメモリセルを構成するMISFETのリーク電流を低減し、MISFETの特性を向上させる。【解決手段】 DRAMメモリセルを構成する情報転送用MISFETQsが形成される素子形成領域間を分離する分離溝の深さ(D)を、前記素子形成領域間の最短距離(W)の2倍以上とする。もしくは、ゲート電極Gの側壁にライト酸化膜11aが形成されたMISFETQsのゲート絶縁膜を、ゲート電極の中央部の下のゲート絶縁膜の膜厚に対する、ゲート電極の端部下のゲート絶縁膜の膜厚の比が、1.15以となるよう形成する。もしくは、MISFETQsのゲート電極の端部からソースもしくはドレイン上に延在するライト酸化膜11bの膜厚を、4nm以上とする。その結果、MISFETのリーク電流を低減し、ゲート絶縁膜の耐圧の向上や、DRAMメモリセルの情報保持時間の改善を図ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、少なくとも2つ以上の素子形成領域と、素子分離領域とを有する半導体集積回路装置であって、前記素子分離領域には、前記半導体基板中に形成された溝と、前記溝の内壁に形成された第1の絶縁膜と前記第1の絶縁膜上であって、前記溝を埋め込むように形成された第2の絶縁膜が形成され、前記2つ以上の素子形成領域には、それぞれ前記半導体基板中に形成されたソースおよびドレインと、前記ソースとドレインとの間の半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極が形成され、前記溝の深さは、前記素子形成領域間の最短距離の2倍以上であることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (7件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/78

FI (8件)：

H01L 27/08 331 A ,  H01L 27/10 681 D ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 R ,  H01L 27/10 671 Z ,  H01L 21/76 L ,  H01L 27/08 102 H

Fターム (70件)：

5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AB01 ,  5F032AB02 ,  5F032CA14 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA07 ,  5F032DA23 ,  5F032DA30 ,  5F032DA33 ,  5F032DA43 ,  5F032DA53 ,  5F048AA04 ,  5F048AB01 ,  5F048BG01 ,  5F048BG13 ,  5F083AD10 ,  5F083AD31 ,  5F083AD62 ,  5F083GA06 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR07 ,  5F083PR10 ,  5F083PR12 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F140AA08 ,  5F140AA24 ,  5F140AB09 ,  5F140AC32 ,  5F140BD19 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF27 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG31 ,  5F140BG35 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BG50 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140BK30 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CD06

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-107852   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-373341   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-196976   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-142315   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-233071   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-034313   出願人：株式会社東芝