特許
J-GLOBAL ID：200903085468013020

炭素膜の製造方法

発明者：
伊藤 靖彦

伊藤 靖彦 について

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安田 尚洋

安田 尚洋 について

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錦織 徳二郎

錦織 徳二郎 について

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天橋 弘明

天橋 弘明 について

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黒田 孝二

黒田 孝二 について


出願人/特許権者：
学校法人同志社

学校法人同志社 について

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アイ’エムセップ株式会社

アイ’エムセップ株式会社 について

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SECカーボン株式会社

SECカーボン株式会社 について


代理人 (2件)： 赤岡 迪夫 ,  赤岡 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-292691
公開番号（公開出願番号）：特開2009-120860
出願日： 2007年11月12日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：
【課題】緻密な炭素膜を、簡便な製法及び装置を用いて効率よく生成することができる製造方法を提供する。【解決手段】溶融塩を用いた電気化学プロセスによる炭素膜の製造方法において、(a)カーバイドイオン(C22-)を含有する溶融塩からなる電解浴を準備するステップと、(b)前記電解浴中に、炭素膜を生成させるための作用極(陽極)と対極(陰極)とを配置するステップと、そして(c)前記作用極を、対極に対して前記カーバイドイオンが酸化される電位で通電することにより前記作用極の表面に炭素膜を生成させるステップとを含んでいる炭素膜の製造方法を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
溶融塩を用いた電気化学プロセスによる炭素膜の製造方法において、 (a)カーバイドイオン(C22-)を含有する溶融塩からなる電解浴を準備するステップと、 (b)前記電解浴中に、炭素膜を生成させるための作用極(陽極)と対極(陰極)とを配置するステップと、そして (c)前記作用極を、対極に対して前記カーバイドイオンが酸化される電位で通電することにより、前記作用極の表面に炭素膜を生成させるステップと を含んでいる炭素膜の製造方法。
IPC (1件)：
C25B 1/00
FI (1件)：
C25B1/00 Z
Fターム (8件)：
4K021AA09 ,  4K021BA01 ,  4K021BA17 ,  4K021BB05 ,  4K021BC05 ,  4K021DA03 ,  4K021DA11 ,  4K021DA13
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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