特許
J-GLOBAL ID：200903085633652377
光電変換装置の製造方法および光電変換装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (3件)：
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-316789
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123721
出願日： 2005年10月31日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】化合物半導体薄膜(CIGS薄膜)を用いた光電変換素子(フォトセンサや太陽電池)の暗電流を劇的に低減し得る、新規な製造プロセス技術を提供する。【解決手段】フォトリソグラフィによるエッチングによって、下部電極層(Mo)10、光吸収層として機能するカルコパイライト構造のp型の化合物半導体薄膜(CIGS薄膜)30、n型の透光性電極層(ZnO)60の各々をパターニングする手法を採用し、かつ、CIGS薄膜30については、ドライエッチングとウエットエッチングを組み合わせた2段エッチングを行うことによって、化合物半導体の結晶にダメージや欠陥を生じさせることなく、また、残渣を残すことなく、高精度のパターニングを実現する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に下部電極層、光吸収層として機能するカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜、透光性電極層が積層されて構成される光電変換装置の製造方法であって、
前記カルコパイライト構造の化合物半導体薄膜をフォトリソグラフィによってパターニングする工程を含む光電変換装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F051AA02
, 5F051AA10
, 5F051CB15
, 5F051CB21
, 5F051CB22
, 5F051DA03
, 5F051DA04
, 5F051FA02
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051GA03
, 5F051GA04
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
-
特開平2-032541
-
光起電力装置及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-334493
出願人：三洋電機株式会社
-
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-380877
出願人：山形日本電気株式会社
全件表示
引用文献：
前のページに戻る
