表面処理装置及び表面処理方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：飯阪泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-145394
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324404
出願日： 2005年05月18日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：

【課題】イオンビームを用いたイオン注入装置とプラズマドーピング装置とを兼ね備えた複合型の表面処理装置において、イオンビームを用いて低エネルギーのイオンドーピング処理を高精度かつ効率良く行う。【解決手段】イオン注入ユニット31とプラズマドーピングユニット21とを備えた表面処理装置10において、イオン注入ユニット31は、イオンを減速させる減速器37と、減速させたイオンをステージ4側へ偏向させる偏向器38と、イオンをステージ4へ導くためのバイアス電源9とを備える。偏向器38はイオンビームから中性粒子を除去し、バイアス電源9は偏向器37から出射した低エネルギーのイオンビームをウェーハWへ引き付ける。これにより、イオン注入ユニット31を用いて、低エネルギーのイオンドーピングを高純度かつ高効率で行うことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空チャンバと、この真空チャンバ内に設置され被処理基板を支持するステージと、前記被処理基板の表面にイオンビームを照射してイオンをドーピングするイオン注入ユニットと、前記被処理基板の近傍で形成したプラズマ中のイオンを引き出して前記被処理基板の表面にドーピングするプラズマドーピングユニットとを備えた表面処理装置において、前記イオン注入ユニットは、イオンを減速させる減速器と、減速させたイオンを前記ステージ側へ偏向させる偏向器と、イオンを前記ステージへ導くためのバイアス手段とを備えたことを特徴とする表面処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/265 , H01J 37/317 , H01L 21/22

FI (7件)：

H01L21/265 603C , H01J37/317 A , H01J37/317 B , H01J37/317 C , H01L21/22 E , H01L21/265 F , H01L21/265 T

Fターム (3件)：

5C034CC01 , 5C034CC10 , 5C034CC19

引用特許：

出願人引用 (3件)

イオン注入装置およびイオン注入方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-137781 出願人：日本真空技術株式会社
表面処理方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-282425 出願人：松下電器産業株式会社
米国特許第6716727号明細書

審査官引用 (6件)

統合処理システムにおけるプラズマドーピング及びイオン注入のための方法及び装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-541037 出願人：バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド
イオンビーム発生装置、イオンビーム発生方法、イオン処理装置およびイオン処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-305260 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-197955 出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ

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