特許
J-GLOBAL ID:200903085722788568
力覚センサおよびその製造方法
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
磯野 道造
, 多田 悦夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-227466
公開番号(公開出願番号):特開2008-051624
出願日: 2006年08月24日
公開日(公表日): 2008年03月06日
要約:
【課題】ガラス層を介して力覚センサ用チップと減衰装置とを陽極接合する際の接合劣化を防止する。【解決手段】伝達された外力Fを歪み抵抗素子で検出する力覚センサ用チップ2と、力覚センサ用チップ2を固定するとともに外力Fを減衰して力覚センサ用チップに伝達する減衰装置3と、を備え、力覚センサ用チップ2と減衰装置3とがガラス層を介して接合された力覚センサの製造方法であって、(a)ガラス層として、力覚センサ用チップ2にガラス薄膜10を成膜する工程と、(b)力覚センサ用チップ2側に負電圧をかけ、減衰装置3側に正電圧をかけて、力覚センサ用チップ2に成膜されたガラス薄膜10と減衰装置3とを陽極接合により接合する工程と、を含むことを特徴とする。また、ガラス薄膜10を蒸着法またはスパッタリング法により成膜する。【選択図】図4
請求項(抜粋):
伝達された外力を歪み抵抗素子で検出する力覚センサ用チップと、この力覚センサ用チップを固定するとともに前記外力を減衰して前記力覚センサ用チップに伝達する減衰装置と、を備え、
前記力覚センサ用チップと前記減衰装置とが接合部においてガラス層を介して接合された力覚センサの製造方法であって、
前記減衰装置の前記接合部を含む領域に、前記ガラス層としてガラス薄膜を成膜する工程と、
前記力覚センサ用チップと前記減衰装置とを前記接合部で密着させた状態で前記力覚センサ用チップに正電圧を印加し、前記減衰装置に負電圧を印加して、前記ガラス薄膜と前記力覚センサ用チップとを陽極接合する工程と、
を含むことを特徴とする力覚センサの製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (21件):
4M112AA02
, 4M112BA01
, 4M112CA21
, 4M112CA24
, 4M112CA27
, 4M112CA30
, 4M112CA33
, 4M112DA03
, 4M112DA04
, 4M112DA06
, 4M112DA08
, 4M112DA09
, 4M112DA10
, 4M112DA16
, 4M112DA18
, 4M112EA03
, 4M112EA07
, 4M112EA11
, 4M112EA13
, 4M112FA07
, 4M112FA20
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
6軸力センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-005334
出願人:本田技研工業株式会社
-
6軸力センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-059447
出願人:本田技研工業株式会社
審査官引用 (4件)
-
特開平4-249727
-
集積化センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-232666
出願人:株式会社豊田中央研究所
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-080544
出願人:日産自動車株式会社
-
力検知装置とその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-266858
出願人:株式会社豊田中央研究所
全件表示
前のページに戻る