特許
J-GLOBAL ID：200903085803370274
半導体光集積素子とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-249526
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098231
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】 活性領域と光ビームのスポットサイズ変換領域からなる半導体レーザにおいて、スポットサイズ変換領域の光閉じ込め層と活性層の層厚が光導波路方向に徐々に薄くされる構造では、しきい値電流の上昇、効率の低下等が生じる。【解決手段】 活性領域Aと光ビームのスポットサイズ変換領域Bを備える半導体レーザにおいて、スポットサイズ変換領域では、光導波層の層厚が光導波方向にテーパ状に薄くなる一方で、そのテーパ部の層厚変化率は、量子井戸層(MQW層)3よりも上下の光閉じ込め層2,4の方が大きくされる。スポットサイズ変換領域Bに活性領域Aと同じ層厚の活性層3があるため、全領域に電流を流すことにより、光学的損失をもたらす領域のない半導体レーザが実現でき、しきい値電流の低減、効率の向上が可能となる。
請求項（抜粋）：
光導波路方向に連続する少なくとも2つの光機能領域からなり、各光機能領域は単層または多層の量子井戸層とそれを挟む光閉じ込め層からなる多層構造の光導波層を有する半導体光集積素子において、少なくとも1つの光機能領域における前記光導波層は層厚が光導波方向にテーパ状に薄くなる光ビームのスポットサイズ変換構造をなしており、かつそのテーパ部の層厚変化率は、前記量子井戸層よりも前記光閉じ込め層の方が大きいことを特徴とする半導体光集積素子。
引用特許：
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