特許
J-GLOBAL ID：200903085884382620

不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置

発明者：
藤井 覚

藤井 覚 について

, 
高木 剛

高木 剛 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-312099
公開番号（公開出願番号）：特開2009-135370
出願日： 2007年12月03日
公開日（公表日）： 2009年06月18日
要約：
【課題】高速動作が可能で、しかも可逆的に安定した書き換え特性と、良好な抵抗値のリテンション特性を有する不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置を提供する。【解決手段】第1電極103と、第2電極105と、第1電極103と第2電極105との間に介在させ、両電極103,105間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層104とを備え、この抵抗変化層104は少なくともタンタルと異なる遷移金属酸化物層107とタンタル酸化物層106から構成され、遷移金属酸化物層107のタンタル酸化物層106に対する膜厚比が0.005以上であり1未満である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在させ、前記第1電極および前記第2電極間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層とを備え、 前記抵抗変化層は、少なくともタンタルとは異なる遷移金属酸化物からなる第1の酸化物層とタンタル酸化物からなる第2の酸化物層とを含む積層構造からなり、前記第2の酸化物層が前記第1の酸化物層より厚く形成されている、不揮発性記憶素子。
IPC (4件)：
H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  G11C 13/00
FI (4件)：
H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  G11C13/00 A
Fターム (20件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA06 ,  5F083LA07 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR22 ,  5F083ZA10
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM