特許
J-GLOBAL ID：200903085972854779
半導体素子の洗浄溶液およびこれを利用した半導体素子の洗浄方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
, 藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-165974
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363611
出願日： 2004年06月03日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：
【課題】 半導体素子の洗浄溶液およびこれを利用した半導体素子の洗浄方法を提供する。【解決手段】 酸化剤を使用して化学的酸化膜を形成した後、前記酸化膜を除去することによって、半導体素子の表面から異物を除去する。更に、半導体素子の表面および異物のゼータ電位の絶対値を大きくすることにより、異物の再結着を防止する。本発明によると、特に、金属を腐食させなくても、その表面から異物を容易に除去することができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板から異物を除去するための洗浄溶液において、
前記洗浄溶液は、酸化剤、脱イオン水、フッ化物系還元剤および表面電荷調整剤を含むことを特徴とする洗浄溶液。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/304 647Z
, H01L21/304 647A
, H01L21/304 647B
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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