特許
J-GLOBAL ID：200903086003826322

光電変換素子、固体撮像素子

発明者：
横山 大輔

横山 大輔 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-045955
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227574
出願日： 2006年02月22日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】電極成膜時における素子特性劣化の少ない光電変換素子を提供する。【解決手段】第一電極11と、第一電極11に対向する第二電極13と、第一電極11と第二電極13との間に形成された光電変換層12とを含む光電変換部を有する光電変換素子100であって、第一電極11又は第二電極13と光電変換層12との間に、光電変換層12の表面の凹凸を緩和する平滑層104を設けた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第一電極と、前記第一電極に対向する第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に形成された光電変換層とを含む光電変換部を有する光電変換素子であって、 前記第一電極又は前記第二電極と前記光電変換層との間に、前記光電変換層の表面の凹凸を緩和する平滑層を設けた光電変換素子。
IPC (2件)：
H01L 31/10 ,  H01L 27/146
FI (3件)：
H01L31/10 D ,  H01L27/14 E ,  H01L31/10 H
Fターム (35件)：
4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA07 ,  4M118CA09 ,  4M118CA14 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118GC07 ,  5F049MA03 ,  5F049MB02 ,  5F049MB08 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049PA06 ,  5F049PA07 ,  5F049QA07 ,  5F049QA11 ,  5F049QA20 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08 ,  5F049SE02 ,  5F049SE04 ,  5F049SE05 ,  5F049SE12 ,  5F049SE20 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ06 ,  5F049SZ20 ,  5F049WA03 ,  5F049WA08
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第5965875号明細書
  • 米国特許第6632701号明細書
  • 受光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-202885   出願人：ソニー株式会社
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審査官引用 (10件)
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