半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：棚井澄雄 , 高橋詔男 , 大房直樹 , 大浪一徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-045125
公開番号（公開出願番号）：特開2008-210930
出願日： 2007年02月26日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：

【課題】半導体基板上に膜を形成する際、良好な密着性を保ったまま、可視光領域での光透過性を向上させた成膜を可能とし、更に、その膜がカーボン膜であっても、良好な密着性と光透過性を同時に有することを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、プラズマ生成可能な反応室2において、半導体基板Wの被処理面に膜を形成する工程に先立って、前記膜を形成する工程を行う反応室に半導体基板Wを設置したまま、少なくとも酸素ガスを用いたプラズマを生成し制御して前記被処理面をプラズマ処理する第1の工程と、反応室2に半導体基板Wを設置したまま、少なくとも水素ガスを用いたプラズマを生成し制御して前記被処理面をプラズマ処理する第2の工程とを、順に有することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

プラズマ生成可能な反応室において、半導体基板の被処理面に膜を形成する工程に先立って、前記膜を形成する工程を行う反応室に前記半導体基板を設置したまま、少なくとも酸素ガスを用いたプラズマを生成し制御して前記被処理面をプラズマ処理する第1の工程と、前記反応室に前記半導体基板を設置したまま、少なくとも水素ガスを用いたプラズマを生成し制御して前記被処理面をプラズマ処理する第2の工程とを、順に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/314 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L21/314 A , H01L21/30 563

Fターム (19件)：

5F046HA05 , 5F058AA08 , 5F058AC10 , 5F058AD08 , 5F058AD09 , 5F058AE02 , 5F058AF02 , 5F058AH02 , 5F058BA10 , 5F058BC14 , 5F058BC20 , 5F058BD01 , 5F058BD18 , 5F058BD19 , 5F058BE04 , 5F058BE10 , 5F058BF07 , 5F058BF26 , 5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-278249 出願人：エルピーダメモリ株式会社

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法及び基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-063337 出願人：株式会社日立国際電気
フッ素添加カーボン膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-144613 出願人：大見忠弘, 東京エレクトロン株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-132556 出願人：日本電気株式会社, 秋田日本電気株式会社

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