特許
J-GLOBAL ID：200903086061226114
酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-112396
公開番号（公開出願番号）：特開平10-298538
出願日： 1997年04月30日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：
【要約】【課題】 SiO2絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨する酸化セリウム研磨剤を提供する。【解決手段】 TEOS-CVD法で作製したSiO2絶縁膜を形成させたSiウエハを、電子顕微鏡による観察で粒子径が20nm以上1500nm以下である粒子が全数の90%以上、または 電子顕微鏡による観察で粒子径が100nm以上1500nm以下である粒子が全体積の90%以上である酸化セリウム粒子を媒体に分散させたスラリー研磨剤で研磨する。
請求項（抜粋）：
電子顕微鏡による観察で粒子径が20nm以上1500nm以下である粒子が全数の90%以上である酸化セリウム粒子を媒体に分散させたスラリーを含む酸化セリウム研磨剤。
IPC (5件)：
C09K 3/14 550
, B24B 37/00
, C09C 1/68
, H01L 21/304 321
, C01F 17/00
C09K 3/14 550 D
, B24B 37/00 H
, C09C 1/68
, H01L 21/304 321 P
, C01F 17/00 A
