特許

J-GLOBAL ID：200903086072680810

結晶膜の製造方法

発明者： 由良 信介 ,  河野 裕之 ,  森川 和敏 ,  佐藤 行雄 ,  岡本 達樹 ,  須賀原 和之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-019515
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260145
出願日： 2004年01月28日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】 結晶の位置および方位を決定することができる結晶膜の製造方法を提供する。【解決手段】 基板21上に形成した半導体薄膜としてのアモルファスSi膜23に、単結晶材料からなる種結晶としてのSi柱13を有する種結晶基板11を当接する。この状態でアモルファスSi膜23をレーザアニールして、Si柱13との接触部に、Si柱13と同一方位の単結晶を形成する。種結晶をくさび状にしてもよい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成した半導体薄膜に、単結晶材料からなる種結晶を当接する工程と、 前記半導体薄膜をアニールする工程と、を備えた、結晶膜の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/20

FI (1件)：

H01L21/20

Fターム (9件)：

5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB02 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052EA12 ,  5F052GA02 ,  5F052GB03 ,  5F052JA01

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 半導体基板及び半導体装置及び半導体基板の製造方法及び半導体基板の製造治具及び半導体装置の製造治具
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-059886   出願人：三洋電機株式会社
• 薄膜半導体装置の製造方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-356026   出願人：ソニー株式会社
• 結晶性半導体薄膜とその製造方法、および薄膜トランジスタとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-277459   出願人：株式会社東芝
• 半導体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-289886   出願人：日本電装株式会社
• 特開平3-215933
  
• 特開平4-053123
  
• 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-205971   出願人：株式会社リコー