特許
J-GLOBAL ID：200903086354420330
EL素子、及び有機薄膜表面へのカソード電極膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-312675
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144475
出願日： 1996年11月08日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】両面発光EL素子を製造できる技術を提供する。【解決手段】 EL素子2のカソード電極膜16を形成する際、透明な基体10上に有機薄膜12、13を形成した後、大気に曝さずに、スパッタリング法によって金属薄膜14を200nm〜1000nmの膜厚に形成し、次いで、その表面に透明導電膜15を形成し、金属薄膜14と透明導電膜15とでカソード電極膜16を構成させる。両面発光のEL素子2を得ることができる。金属薄膜14のスパッタリングは、ヘリカルカソードを用い、ターゲットとの距離を200mm以上にし、1.33×10-2Pa以下の圧力で行うとよい。
請求項（抜粋）：
基体と、該基体上に形成された有機薄膜と、前記有機薄膜表面に形成されたカソード電極膜とを有するEL素子であって、前記カソード電極膜は、金属薄膜と、該金属膜上に形成された透明導電膜とを有し、前記金属薄膜はスパッタリング法を用い、前記有機薄膜表面上に光を遮蔽しない膜厚で形成されていることを特徴とするEL素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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