特許

J-GLOBAL ID：200903056385725788

窒化物系化合物半導体素子の製造方法

発明者： 大野 啓 ,  田村 聡之 ,  上田 哲三
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-365411
公開番号（公開出願番号）：特開2005-210089
出願日： 2004年12月17日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】ドライエッチングを行ったにもかかわらずダメージ層が形成されていない窒化物半導体素子を製造する方法を提供する。また、少ない工程数かつ簡易なバッチ処理によりウェットエッチングを行い窒化物半導体素子を製造する方法を提供する。【解決手段】本発明の窒化物半導体素子の製造方法は、母材基板11上に窒化物半導体層13を形成する工程と、窒化物半導体層13の上面の一部に電子放出層14b、ドライエッチングマスク層14aの順に導電性膜14を形成する工程と、窒化物半導体層13に対してドライエッチングを行う工程と、導電性膜14を介して窒化物半導体層13から外部に電子を放出させて、窒化物半導体層13に対してウエットエッチングを行う工程と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

母材基板上に窒化物系化合物半導体層を形成する工程と、 前記窒化物系化合物半導体層の表面の一部にエッチングマスクとしての導電性膜を形成する工程と、 前記窒化物系化合物半導体層に対してドライエッチングを行う工程と、 前記導電性膜を介して前記窒化物系化合物半導体層から外部に電子を放出させて、前記窒化物系化合物半導体層に対してウエットエッチングを行う工程と、 を含む、窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01S5/323

FI (4件)：

H01L21/306 S ,  H01S5/323 610 ,  H01L21/302 105A ,  H01L29/80 F

Fターム (34件)：

5F004DA04 ,  5F004DB19 ,  5F004EA05 ,  5F004EA06 ,  5F004EA10 ,  5F043AA18 ,  5F043BB10 ,  5F043DD08 ,  5F043DD10 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM09 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GS01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP35 ,  5F173AP39 ,  5F173AP47 ,  5F173AQ05

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 精密なワイドバンドギャップ半導体のエッチング
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-400722   出願人：ティーアールダブリュー・インコーポレーテッド
• 窒化物半導体のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-035920   出願人：シャープ株式会社
• エッチング方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-029531   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (4件)

• 3-5族化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-150310   出願人：住友化学工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-046142   出願人：三菱電機株式会社
• エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-024798   出願人：ソニー株式会社
• 半導体層のエッチング方法およびそれを用いた半導体発光素子の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-125169   出願人：ローム株式会社