金属酸化物薄膜の製造方法及び製造装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芳村武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-132193
公開番号（公開出願番号）：特開2009-001899
出願日： 2008年05月20日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：

【課題】触媒反応に伴う化学エネルギーを利用することにより、電気エネルギーを必要とせずに、酸化亜鉛をはじめとする金属酸化物薄膜を基板上に低コストで効率良く形成する技術を提供する。【解決手段】触媒反応装置内に、H2ガスとO2ガス、又はH2O2ガスを導入し、触媒と接触させて得られたH2Oガスを触媒反応装置から噴出させて金属化合物ガスと反応させることにより、基板上に金属酸化物薄膜を堆積させて金属酸化物薄膜を製造する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

触媒反応装置内に、H2ガスとO2ガス、又はH2O2ガスを導入し、触媒と接触させて得られたH2Oガスを触媒反応装置から噴出させて金属化合物ガスと反応させることにより、基板上に金属酸化物薄膜を堆積させることを特徴とする金属酸化物薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

C23C 16/40 , H01L 21/365 , B01J 35/02 , C01G 9/02 , C01G 9/03 , B01J 23/42

FI (7件)：

C23C16/40 , H01L21/365 , B01J35/02 H , C01G9/02 A , C01G9/02 B , C01G9/03 , B01J23/42 M

Fターム (33件)：

4G047AA02 , 4G047AB01 , 4G047AD02 , 4G169AA03 , 4G169BA13A , 4G169BB04A , 4G169BC70A , 4G169BC74A , 4G169BC75A , 4G169CB81 , 4G169DA05 , 4G169EA02X , 4G169EB18X , 4G169EB19 , 4K030AA01 , 4K030AA11 , 4K030BA42 , 4K030BA47 , 4K030CA02 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030CA06 , 4K030CA07 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 5F045AB22 , 5F045AB40 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AD08 , 5F045AF09 , 5F045BB08

引用特許：

出願人引用 (9件)

薄膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-074618 出願人：関西ティー・エル・オー株式会社
高単結晶性酸化亜鉛薄膜及び製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-088231 出願人：ホーヤ株式会社
透明導電膜とその製造方法およびそれに用いるターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-355858 出願人：三菱マテリアル株式会社

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審査官引用 (7件)

高誘電率膜の製造方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-227435 出願人：株式会社日立製作所
軽水の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-164398 出願人：ペルメレック電極株式会社
特公平6-082625

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