特許
J-GLOBAL ID：200903076208883013
プラズマエッチング処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小川 勝男
, 田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-315515
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045291
出願日： 2004年10月29日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：
【課題】 大口径の試料について微細パターンの精密な加工が容易で、また、微細加工時の選択比も向上させたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 真空処理室と、該真空処理室内で処理される試料を配置するための試料台と、高周波電源を含むプラズマ生成手段とを有するプラズマ処理装置であって、前記試料を静電吸着力によって前記試料台に保持する静電吸着手段と、前記試料にパルスバイアス電圧を印加するパルスバイアス印加手段とを備え、前記高周波電源として10MHz〜500MHzの高周波電圧を印加するとともに、前記真空処理室を0.5〜4.0Paに減圧するように構成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
真空処理室と、
前記真空処理室内に設置され、口径300mm以上の試料の面積以上の面積を有する一対の対向する平行平板電極と、
前記真空処理室に少なくともフッ素及びカーボンを含むエッチングガスを導入するガス導入手段と、
前記平行平板電極間にプラズマを発生させるための50MHzないし200MHzの高周波電力を印加するプラズマ生成用高周波電源と、
前記一方の平行平板電極に接続されたイオンエネルギー制御用のバイアス電源とを具備し、
前記一対の対向する平行平板電極の一方は、絶縁膜を有する口径300mm以上の試料を保持し得る試料台を兼ねており、
前記一対の対向する平行平板電極は、その間隔を30mmないし60mmに設定されたことを特徴とするプラズマエッチング処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/302 101B
, H05H1/46 M
5F004AA02
, 5F004BA07
, 5F004BA08
, 5F004BA09
, 5F004BB08
, 5F004BB11
, 5F004BB22
, 5F004BB29
, 5F004BD04
, 5F004DA00
, 5F004DA15
, 5F004DA16
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB01
, 5F004DB03
, 5F004DB07
, 5F004EB02
出願人引用 (16件)
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プラズマ処理装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-034110
出願人：株式会社東芝, 東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
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プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-106045
出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
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特開平3-204925号公報
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審査官引用 (9件)
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