特許
J-GLOBAL ID：200903086666584896

酸化膜の形成方法、酸化膜の形成装置及びプログラム

発明者：
長谷部 一秀

長谷部 一秀 について

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石田 義弘

石田 義弘 について

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藤田 武彦

藤田 武彦 について

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小川 淳

小川 淳 について

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中島 滋

中島 滋 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-242043
公開番号（公開出願番号）：特開2008-066483
出願日： 2006年09月06日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：
【課題】低温下で、良質な酸化膜を形成することができる酸化膜の形成方法、酸化膜の形成装置及びプログラムを提供する。【解決手段】まず、反応管2内にアンモニアラジカルを供給し、半導体ウエハWの表面を窒化する。次に、反応管2内にDCSを供給し、窒化された半導体ウエハWの表面にSiを吸着させる。続いて、反応管2内に酸素ラジカルを供給して、吸着したSiを酸化させ、半導体ウエハWにシリコン酸化膜を形成する。この処理を複数回繰り返すことにより所望厚のシリコン酸化膜が形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被処理体が収容された反応室内に窒化ガスのラジカルを供給し、前記被処理体を窒化する窒化ステップと、 前記反応室内に、ソース元素を含み、アミノ基を含まないソースガスを供給し、前記窒化ステップで窒化された被処理体に該ソース元素を吸着させる吸着ステップと、 前記反応室内に酸化ガスのラジカルを供給し、前記吸着ステップで吸着されたソース元素を酸化させ、前記被処理体に酸化膜を形成する酸化膜形成ステップと、を備え、 前記窒化ステップと、前記吸着ステップと、前記酸化膜形成ステップとを、この順に複数回繰り返す、ことを特徴とする酸化膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/31
FI (2件)：
H01L21/316 X ,  H01L21/31 B
Fターム (39件)：
5F045AA00 ,  5F045AB32 ,  5F045AC00 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF01 ,  5F058BF23 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ04
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 基板処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-073145   出願人：株式会社日立国際電気
審査官引用 (5件)
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