特許
J-GLOBAL ID：200903086717090524
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-230730
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053623
出願日： 2006年08月28日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：
【課題】ディスクリート半導体のチップにおいて、電流経路上の第1電極および第2電極を、半導体基板の第1主面側に設け、フリップチップ実装を可能にしたものが知られている。しかし、基板内を水平方向にも電流が流れるため、抵抗成分が増加する問題があった。【解決手段】素子領域に接続する第1電極および第2電極を第1主面側に設け、第2主面側に耐腐食性、耐酸化性を有する低抵抗の厚膜金属層を設ける。これにより、基板水平方向に流れる電流の抵抗成分を低減する。また厚膜金属層の厚みを適宜選択することにより、コストの増大を押さえて装置の抵抗値を低減することができる。更に、厚膜金属層にAuを採用することにより、時間の経過による厚膜金属層の変色等の不良を防止できる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
第1主面および第2主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板に設けられたディスクリート半導体の素子領域と、
前記第1主面側に設けられ、前記素子領域にそれぞれ接続する第1の電極および第2の電極と、
前記第2主面側に露出し耐腐食性および耐酸化性を有する第1金属層と、
前記第1金属層と前記半導体基板の前記第2主面との間に設けられた第2金属層と、
前記第1の電極から前記半導体基板の内部を通り前記第2の電極に至る電流経路と、
を具備し、
前記第1金属層は前記第2金属層より膜厚が厚い厚膜金属層であることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L29/78 652Q
, H01L29/78 653A
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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