単一表面上のバンプコンタクトを有する垂直伝導フリップチップ半導体デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：谷義一 , 阿部和夫 , 橋本傳一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-559065
公開番号（公開出願番号）：特表2004-502293
出願日： 2001年02月09日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

フリップチップMOSFET構造が、垂直伝導半導体ダイ(30)を有し、ダイの下部層は、ダイ最上部のドレイン電極(32)に拡散シンカまたは導電性電極によって接続されている。ソース(31)およびゲート(33、34)電極も、ダイ上面に形成されており、回路基板との接続用の同一平面上のハンダボール(40、41、43)を有する。この構造は、チップスケールパッケージサイズを有する。ダイの背面は、ダイをマウントするときに裏返しになるが、ダイからの熱除去を改善するために、粗くしても良いしメタライズドしても良い。複数の別個のMOSFETをダイ内部に並べて組み込むことで、MOSFETの直列接続を形成しながら、それぞれのソースおよびゲート電極を最上面に設けて、ボールコネクタを有することができる。複数のハンダボールコネクタを最上部の電極に設けても良く、これらのハンダボールコネクタをそれぞれの平行な列に並べる。ダイは、形状が細長い長方形で、ハンダボールを長方形の対角線に対して対称に並べても良い。

請求項（抜粋）：

シリコンウェハを備えるフリップチップ半導体デバイスであって、前記シリコンウェハは、平行な第1および第2の主面と、前記シリコンウェハ内のPN接合で接する、前記シリコンウェハ内の少なくとも1つのP領域および少なくとも1つのN領域と、前記第1の主面上に形成され、互いに絶縁され、前記P領域および前記N領域にそれぞれ接続された、横方向に間隔を置いて配置される同一平面上の第1および第2のメタライズド領域とを有し、前記第2の主面は、前記半導体デバイスの対流冷却を改善するための拡張された面積を設けるために粗くされていることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L23/12 , H01L21/60 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/78

FI (8件)：

H01L23/12 501P , H01L29/78 652L , H01L29/78 652Q , H01L29/78 652S , H01L29/78 653C , H01L29/78 657Z , H01L27/04 E , H01L21/92 604E

Fターム (3件)：

5F038BE07 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平2-281737
溝型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-121656 出願人：日産自動車株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-180950 出願人：日産自動車株式会社

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