特許

J-GLOBAL ID：200903086917552778

半導体発光装置

発明者： 葛原 一功 ,  鈴木 俊之 ,  杉本 勝 ,  橋本 拓磨
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (2件)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-313438
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152808
出願日： 2002年10月28日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】従来に比べて半導体発光素子の温度上昇を抑制することができる半導体発光装置を提供する。【解決手段】青色発光ダイオードチップからなる半導体発光素子1と、半導体発光素子1がフリップチップ実装される実装基板2とを備えている。半導体発光素子1は、サファイア基板からなるベース基板11の一表面側に発光部12が形成され、発光部12にアノード電極13aおよびカソード電極13bが設けられている。実装基板2は、第1の金属板2aと第2の金属板2bとが電気絶縁性を有する絶縁性材料からなる絶縁部2cにより連結されている。実装基板2には、半導体発光素子1のアノード電極13aがバンプ3aを介して第1の金属板2aに電気的に接続され、半導体発光素子1のカソード電極13bがバンプ3bを介して第2の金属板2bに電気的に接続されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体材料からなる発光部が前記発光部にて発光する光に対して透明なベース基板の厚み方向の一表面側に形成された半導体発光素子と、前記半導体発光素子がフリップチップ実装される実装基板とを備え、前記ベース基板の厚み方向の他表面側から光が取り出される半導体発光装置であって、前記実装基板は、前記半導体発光素子の前記発光部に設けたアノード電極がバンプを介して接続される第1の金属板と、前記半導体発光素子の前記発光部に設けたカソード電極がバンプを介して接続される第2の金属板と、前記第1の金属板と前記第2の金属板との互いの対向する側縁間に介在し前記両金属板を電気的に絶縁する絶縁性材料からなる絶縁部とを有することを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (13件)：

5F041AA04 ,  5F041AA33 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA33 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35 ,  5F041DA36 ,  5F041DA43

引用特許：

審査官引用 (5件)

• チップ部品型発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-040512   出願人：日亜化学工業株式会社, 富士機工電子株式会社
• 表面実装LEDとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-122733   出願人：スタンレー電気株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-028840   出願人：日亜化学工業株式会社
• 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-360046   出願人：株式会社シチズン電子
• 発光ダイオード用パッケージの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-105877   出願人：株式会社シチズン電子, 河口湖精密株式会社