特許
J-GLOBAL ID：200903086925830507

表示装置の作製方法

発明者：
小路 博信

小路 博信 について

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前川 慎志

前川 慎志 について

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吉住 健輔

吉住 健輔 について

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本田 達也

本田 達也 について

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鈴木 幸恵

鈴木 幸恵 について

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川俣 郁子

川俣 郁子 について

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山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-246250
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100807
出願日： 2005年08月26日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なTFTを有する表示装置の作製方法を提供する。【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜から触媒元素を除いた後、トップゲート型プラナー構造の薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、表示装置の構成物を選択的に形成する液滴吐出法を用いることで、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に非晶質半導体層を形成し、 前記非晶質半導体層に金属元素を添加して加熱し、前記非晶質半導体層を結晶化し、結晶性半導体層を形成し、 前記結晶性半導体層に接して一導電型を有する半導体層を形成し、 前記結晶性半導体層及び前記一導電型を有する半導体層を加熱し、 前記一導電型を有する半導体層を加工し、ソース領域及びドレイン領域を形成し、 前記ソース領域及び前記ドレイン領域に接して、導電性材料を含む組成物を吐出して選択的にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、 前記結晶性半導体層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上にゲート絶縁層を形成し、 前記ゲート絶縁層上にゲート電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/08 ,  G09F 9/30
FI (6件)：
H01L29/78 627G ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616L ,  H01L21/20 ,  H01L27/08 331E ,  G09F9/30 338
Fターム (191件)：
2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA45 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB38 ,  2H092JB58 ,  2H092KA04 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA29 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA27 ,  5C094AA02 ,  5C094AA06 ,  5C094AA13 ,  5C094AA23 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094GB10 ,  5C094HA05 ,  5C094HA08 ,  5C094HA10 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BC16 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE27 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF10 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK26 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK42 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN13 ,  5F110NN14 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP23 ,  5F110PP27 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28 ,  5F152BB02 ,  5F152BB06 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC08 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD23 ,  5F152CD27 ,  5F152CE05 ,  5F152CE09 ,  5F152CE13 ,  5F152CE14 ,  5F152CE16 ,  5F152CE24 ,  5F152CE26 ,  5F152CE32 ,  5F152CE33 ,  5F152CE35 ,  5F152CE36 ,  5F152CE37 ,  5F152CE44 ,  5F152CE45 ,  5F152CF13 ,  5F152CF14 ,  5F152CF15 ,  5F152CF18 ,  5F152CF23 ,  5F152CF26 ,  5F152DD07 ,  5F152FF03 ,  5F152FF04 ,  5F152FF06 ,  5F152FF07 ,  5F152FF09 ,  5F152FF11 ,  5F152FF14 ,  5F152FF15 ,  5F152FF16 ,  5F152FF17 ,  5F152FF21 ,  5F152FF35 ,  5F152FF43 ,  5F152FF44 ,  5F152FF45 ,  5F152FF47 ,  5F152FG01
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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