誘電体構造形成方法及び誘電体構造を備えた半導体素子

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-072161
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037184
出願日： 1995年03月29日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】改善された特性を有する誘電体構造を反応性基板の表面上に形成する。【構成】本発明の誘電体構造の製造は、ある「製造環境」内で行われる。この製造環境はまず、基板12と反応して第1の誘電体副領域20を形成する第1の試剤で充填され、引き続き、基板12に反応して第2の誘電体副領域18を形成する第2の試剤で充填される。第1の試剤は、亜酸化窒素などの窒素含有流体の形態を呈するものであり、その結果得られる第1の誘電体副領域20は、第1の高い破壊電界および第1の高い界面トラップ密度を有することを特徴とする。第2の試剤は、実質的に純粋な酸素の形態を呈するものであり、その結果得られる誘電体構造全体は、第2の高い破壊電界および第2の低い界面トラップ密度を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

製造環境内に設けられた反応性基板上に誘電体構造を形成する誘電体構造形成方法であって、(A)該基板と反応する第1の試剤で該環境を充填することによって、第1の界面トラップ密度を有する第1の誘電体副領域を形成する工程と、(B)該第1の誘電体副領域を通過し、かつ該基板と反応する第2の試剤で該環境を充填することによって、該第1の誘電体副領域と該基板との中間に第2の誘電体副領域を形成する後工程であって、該第2の誘電体副領域が、該第1の界面トラップ密度よりも低い第2の界面トラップ密度を有する後工程と、を包含する誘電体構造形成方法。

引用特許：

出願人引用 (9件)

特開平1-248561
酸窒化膜層の絶縁膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-327921 出願人：沖電気工業株式会社
絶縁膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-020363 出願人：沖電気工業株式会社

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審査官引用 (5件)

特開平1-248561
特開平3-004557
酸窒化膜層の絶縁膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-327921 出願人：沖電気工業株式会社

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