特許
J-GLOBAL ID:200903087364840644
配線用導体およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
絹谷 信雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-057148
公開番号(公開出願番号):特開2008-218318
出願日: 2007年03月07日
公開日(公表日): 2008年09月18日
要約:
【課題】コネクタとの嵌合など大きな外部応力がかかる環境下においても、導体周囲のSnめっき膜表面やはんだからウィスカが発生するおそれが少なく、また、高温・高湿環境下においても接触抵抗が増大することのないPbフリーの配線用導体およびその製造方法を提供するものである。【解決手段】本発明の配線用導体は、少なくとも表面の一部にPbフリーのSn系材料部31と心材33となる金属材料からなる複合材であり、心材33とSn系材料部31との間に所定厚さのNi-P中間層32を設け、その後、リフローを行い、そのNi-P中間層32をSn系材料部31中に拡散させてNi-P中間層32を消失させると共に、Sn系材料部31の表面に、Sn酸化物とP酸化物からなる複合膜(又はSn酸化物とリン酸塩化合物からなる複合膜)35を形成したものである。【選択図】図1
請求項(抜粋):
少なくとも表面の一部にPbフリーのSn系材料部と心材となる金属材料からなる複合材であって、上記心材と上記Sn系材料部との間に所定厚さのNi-P中間層を設け、その後、リフローを行い、そのNi-P中間層をSn系材料部中に拡散させてNi-P中間層を消失させると共に、Sn系材料部の表面に、Sn酸化物とP酸化物からなる複合膜又はSn酸化物とリン酸塩化合物からなる複合膜を形成したことを特徴とする配線用導体。
IPC (3件):
H01B 5/02
, H01B 13/00
, C23C 28/02
FI (4件):
H01B5/02 A
, H01B13/00 501A
, H01B13/00 501E
, C23C28/02
Fターム (21件):
4K044AA02
, 4K044AA06
, 4K044AB02
, 4K044AB04
, 4K044BA06
, 4K044BA10
, 4K044BB03
, 4K044BC14
, 4K044CA15
, 4K044CA18
, 4K044CA62
, 5G307BA04
, 5G307BB01
, 5G307BB02
, 5G307BB03
, 5G307BB04
, 5G307BB05
, 5G307BC02
, 5G307BC03
, 5G307BC06
, 5G307BC10
引用特許: