特許
J-GLOBAL ID:200903018194231298
ウイスカー発生抑制に優れたSnめっきまたはSn合金めっき
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
梶 良之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-064477
公開番号(公開出願番号):特開2006-249460
出願日: 2005年03月08日
公開日(公表日): 2006年09月21日
要約:
【課題】ウイスカーが発生することの無いSnめっきまたはSn合金メッキ構造及びその製造方法を提供すること。特に、曲げ加工等の外部応力が加わってもウイスカー発生が抑制されるSnめっきまたはSn合金メッキ構造及びその製造方法を提供すること。【解決手段】SnめっきまたはSn合金めっきの結晶粒界にSnの合金相が形成されていることを特徴とするSnめっきまたはSn合金めっき。とりわけ、その結晶粒界の長さに占める割合が50%以上Snの合金相が形成されていること。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
SnめっきまたはSn合金めっきの結晶粒界にSnの合金相が形成されていることを特徴とするSnめっきまたはSn合金めっき。
IPC (6件):
C25D 7/00
, C25D 5/10
, C25D 5/50
, C25D 7/12
, H01L 23/50
, H01R 13/03
FI (6件):
C25D7/00 G
, C25D5/10
, C25D5/50
, C25D7/12
, H01L23/50 D
, H01R13/03 D
Fターム (17件):
4K024AA03
, 4K024AA04
, 4K024AA07
, 4K024AA09
, 4K024AA14
, 4K024AA21
, 4K024AB01
, 4K024AB02
, 4K024AB19
, 4K024BA09
, 4K024BB09
, 4K024BB10
, 4K024BB13
, 4K024CA01
, 4K024DB01
, 4K024GA16
, 5F067DC16
引用特許:
出願人引用 (7件)
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-353882
出願人:大野恭秀
-
特開昭57-126992
-
電解メッキ皮膜の熱処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-397927
出願人:株式会社フジクラ
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審査官引用 (12件)
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