特許
J-GLOBAL ID：200903087434700179
発光ダイオードアレイ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-184750
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008056
出願日： 2001年06月19日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 ボンディングワイヤの密度を高くすることなく発光部の密度を高くすることができ、しかも高出力が得られる発光ダイオードアレイを提供する。【解決手段】 p型GaAsオーミックコンタクト層22の厚さを従来の500nmから200nm以下と薄くし、かつp型GaAsオーミックコンタクト層22と基板21との間にDBR層12を設けたので、発光領域で発生した光をDBR層12で反射させることができ、光出力が向上する。
請求項（抜粋）：
基板上に一列に配列された複数の発光ダイオードがm個のブロックに分割され、各ブロック内の発光ダイオードのアノードが共通に接続され、各ブロック内のi番目の発光ダイオードのカソード同士が共通に接続され、上記基板の一方の主面側にp型オーミックコンタクト層と、該p型オーミックコンタクト層上のp型半導体層と、該p型半導体層上のn型半導体層と、該n型半導体層上のn型オーミックコンタクト層とからなるエピタキシャル層が順次積層され、各発光ダイオードが上記p型オーミックコンタクト層にまで到達するメサ溝により分割され、上記ブロックが上記p型オーミックコンタクト層より深いメサ溝により分割されている発光ダイオードアレイにおいて、上記p型オーミックコンタクト層を200nm以下の厚さとし、上記p型オーミックコンタクト層と上記基板との間にDBR層を設けたことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, B41J 2/44
, B41J 2/45
, B41J 2/455
H01L 33/00 A
, B41J 3/21 L
2C162AE28
, 2C162AE47
, 2C162AH04
, 2C162FA04
, 2C162FA17
, 2C162FA23
, 5F041AA04
, 5F041CA36
, 5F041CA46
, 5F041CA81
, 5F041CB15
, 5F041CB22
, 5F041DA06
, 5F041FF13
